A RAM (Random Access Memory) egy olyan memória, amely folyamatos erővel rendelkezik ahhoz, hogy az adatokat megőrizze, amint az áramellátás megszakad, ezért az adatok elvesznek, ezért az illékony memória . A RAM-on történő olvasás és írás egyszerű és gyors, és elektromos jelekkel érhető el.
Összehasonlító táblázat
| Az összehasonlítás alapja | SRAM | DRAM |
|---|---|---|
| Sebesség | gyorsabb | lassabb |
| Méret | Kicsi | Nagy |
| Költség | Drága | Olcsó |
| Használt | Cache memória | Fő memória |
| Sűrűség | Kevésbé sűrű | Nagyon sűrű |
| Építés | Komplex és tranzisztorokat és reteszeket használ. | Egyszerű és kondenzátorokat és nagyon kevés tranzisztort használ. |
| Egy memóriablokk szükséges | 6 tranzisztor | Csak egy tranzisztor. |
| Töltse fel a szivárgási tulajdonságokat | Nincs jelen | A jelen tehát energiafrissítő áramkört igényel |
| Energiafogyasztás | Alacsony | Magas |
Az SRAM meghatározása
Az SRAM (Statikus véletlen hozzáférésű memória) CMOS technológiából áll, és hat tranzisztort használ. Szerkezete két keresztkötésű inverterből áll, amelyek a flip-flophoz hasonló adatokat (bináris) és két további tranzisztort tárolnak a hozzáférés-vezérléshez. Ez viszonylag gyorsabb, mint a többi RAM-típus, például a DRAM. Ez kevesebb energiát fogyaszt. Az SRAM mindaddig tarthatja az adatokat, amíg az áramellátást biztosít.
Az SRAM használata egyes cellákhoz:
A stabil logikai állapot létrehozásához négy tranzisztort (T1, T2, T3, T4) szerveznek keresztkötéses módon. Az 1 logikai állapot létrehozásához a C1 csomópont magas, és C2 alacsony; ebben az állapotban a T1 és a T4 ki van kapcsolva, és a T2 és a T3 be van kapcsolva. Logikai állapot 0 esetén a C1 csomópont alacsony, és C2 magas; az adott állapotban T1 és T4 be van kapcsolva, és a T2 és a T3 ki van kapcsolva. Mindkét állapot stabil, amíg az egyenáramú (dc) feszültséget nem alkalmazzák.
A DRAM meghatározása
A DRAM (dinamikus véletlen hozzáférésű memória) egyfajta RAM, amely kondenzátorok és néhány tranzisztor használatával készül. A kondenzátort olyan adatok tárolására használjuk, amelyekben az 1 bitérték azt jelzi, hogy a kondenzátor töltődik, és a 0 bitérték azt jelenti, hogy a kondenzátor lemerült. A kondenzátor hajlamos kisülni, ami a töltések szivárgásához vezet.
A dinamikus kifejezés azt jelzi, hogy a töltések folyamatos áramellátás esetén is folyamatosan szivárognak, ezért több energiát fogyaszt. Az adatok hosszú ideig tartó megőrzése érdekében ismételten frissíteni kell, ami további frissítési áramkört igényel. A szivárgó töltés miatt a DRAM akkor is elveszíti az adatokat, ha a készülék be van kapcsolva. A DRAM nagyobb kapacitású, és olcsóbb. Csak egyetlen tranzisztort igényel a memória egyetlen blokkjához.
A tipikus DRAM-cellák használata:
A bit értékének a cellából történő olvasása és írása idején a címsor aktiválódik. Az áramkörben jelen levő tranzisztor olyan kapcsolóként viselkedik, amelyek zárva vannak (áram áramlását lehetővé téve), ha a címsorhoz feszültséget alkalmazunk, és ha a címsorhoz nincs feszültség, akkor nincs áram. Az írási művelethez egy feszültségjelet használunk a bitvonalhoz, ahol a nagyfeszültségű 1, és az alacsony feszültség jelzi a 0. A jelet ezután a címsorhoz használjuk, amely lehetővé teszi a töltés átvitelét a kondenzátorba.
Amikor a címsort az olvasási művelet végrehajtására választjuk, a tranzisztor bekapcsol, és a kondenzátoron tárolt töltés egy bitvonalra és érzékelőerősítőre kerül.
A legfontosabb különbségek az SRAM és a DRAM között
- Az SRAM egy chipen tárolt memória, amelynek hozzáférési ideje kicsi, míg a DRAM egy memóriakártya, amely nagy hozzáférési idővel rendelkezik. Ezért az SRAM gyorsabb, mint a DRAM.
- A DRAM nagyobb tárolási kapacitásban áll rendelkezésre, míg az SRAM kisebb méretű.
- Az SRAM drága, míg a DRAM olcsó .
- A gyorsítótár az SRAM alkalmazása. Ezzel ellentétben a DRAM-ot a fő memóriában használják .
- A DRAM nagyon sűrű . Az SRAM ritkább .
- Az SRAM építése nagyszámú tranzisztor használata miatt komplex . Éppen ellenkezőleg, a DRAM egyszerűen tervezhető és kivitelezhető.
- Az SRAM-ban a memória egyetlen blokkja hat tranzisztort igényel, míg a DRAM csak egy tranzisztort igényel egyetlen memóriablokk számára.
- A DRAM dinamikusnak minősül, mert olyan kondenzátort használ, amely szivárgási áramot hoz létre a kondenzátor belsejében használt dielektrikumnak a vezető lemezek elválasztásához, ezért nem tökéletes szigetelő, ezért áramfelújítási áramkörre van szükség. Másrészről, az SRAM-ban nincs feltöltési szivárgás.
- Az energiafogyasztás magasabb a DRAM-ban, mint az SRAM. Az SRAM az áramlás irányának a kapcsolókon keresztüli megváltoztatásának elvén működik, míg a DRAM a töltések megtartása mellett működik.
Következtetés
A DRAM az SRAM leszármazottja. A DRAM-ot úgy tervezték, hogy leküzdje az SRAM hátrányait; A tervezők csökkentették a memóriaelemeket, amelyeket egy darab memóriában használtak, ami jelentősen csökkentette a DRAM költségét és növelte a tárolóterületet. A DRAM azonban lassú és több energiát fogyaszt, mint az SRAM, ezért néhány milliszekundumban gyakran frissíteni kell a díjak megtartását.
